Numéro de produit du fabricant:
SI6463BDQ-T1-GE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SI6463BDQ-T1-GE3-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Description détaillée:
P-Channel 20 V 6.2A (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventaire:
12915869
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SOUMETTRE
SI6463BDQ-T1-GE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.2A (Ta)
rds activé (max) @ id, vgs
15mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 5 V
Fonctionnalité FET
-
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-TSSOP
Emballage / Caisse
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Numéro de produit de base
SI6463
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SI6463BDQ-T1-GE3DKR
SI6463BDQ-T1-GE3CT
Q8873440
Q8873440A
SI6463BDQT1GE3
SI6463BDQ-T1-GE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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