Numéro de produit du fabricant:
IXTU1R4N60P
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTU1R4N60P-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
Description détaillée:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventaire:
12818879
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SOUMETTRE
IXTU1R4N60P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
PolarHV™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
9Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
140 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251AA
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
IXTU1
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STD1NK60-1
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
5751
NUMÉRO DE PIÈCE
STD1NK60-1-DG
PRIX UNITAIRE
0.38
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PRIX UNITAIRE
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