Numéro de produit du fabricant:
IXTQ102N20T
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTQ102N20T-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
Description détaillée:
N-Channel 200 V 102A (Tc) 750W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventaire:
12820013
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SOUMETTRE
IXTQ102N20T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
Trench
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
102A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
23mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
750W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3P
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
IXTQ102
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP90N20DPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
574
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP90N20DPBF-DG
PRIX UNITAIRE
3.02
TYPE DE SUBSTITUT
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