Numéro de produit du fabricant:
IXTH50N20
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTH50N20-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 50A TO247
Description détaillée:
N-Channel 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventaire:
12820016
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SOUMETTRE
IXTH50N20 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
MegaMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
45mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4600 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247 (IXTH)
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXTH50
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
IXTH50N20-NDR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP260MPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
8078
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP260MPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.17
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