Numéro de produit du fabricant:
IXFH80N65X2
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFH80N65X2-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Description détaillée:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventaire:
12821231
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SOUMETTRE
IXFH80N65X2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Ultra X2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
40mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8245 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
890W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247 (IXTH)
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFH80
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
IXFH80N65X2XINACTIVE
IXFH80N65X2X-DG
632463
IXFH80N65X2X
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FCH041N60E
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
130
NUMÉRO DE PIÈCE
FCH041N60E-DG
PRIX UNITAIRE
7.29
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