Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IXTA4N65X2
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTA4N65X2-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Description détaillée:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventaire:
35 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12907603
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IXTA4N65X2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Ultra X2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
850mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
455 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
80W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IXTA4
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
650V Ultra Junction X2-Class POWER MOSFETs
Building, Home Automation Appl Guide
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
R6007KNJTL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
17
NUMÉRO DE PIÈCE
R6007KNJTL-DG
PRIX UNITAIRE
0.74
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
R6007ENJTL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2
NUMÉRO DE PIÈCE
R6007ENJTL-DG
PRIX UNITAIRE
0.74
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
IRF9620
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
IXFB120N50P2
MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
IRFBC30STRLPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFP23N50L
MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3