IRFBC30STRLPBF
Numéro de produit du fabricant:

IRFBC30STRLPBF

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRFBC30STRLPBF-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaire:

52 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12907620
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SOUMETTRE

IRFBC30STRLPBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
660 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IRFBC30

Informations supplémentaires

Forfait standard
800
Autres noms
IRFBC30STRLPBFTR
IRFBC30STRLPBFDKR
IRFBC30STRLPBFCT
IRFBC30STRLPBF-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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