Numéro de produit du fabricant:
IXTA2N100
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTA2N100-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 2A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventaire:
12820581
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SOUMETTRE
IXTA2N100 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
825 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
100W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263AA
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IXTA2
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTA2N100P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTA2N100P-DG
PRIX UNITAIRE
2.09
TYPE DE SUBSTITUT
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Certification DIGI
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