IXFH7N80
Numéro de produit du fabricant:

IXFH7N80

Product Overview

Fabricant:

IXYS

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IXFH7N80-DG

Description:

MOSFET N-CH 800V 7A TO247AD
Description détaillée:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Inventaire:

12820587
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SOUMETTRE

IXFH7N80 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
180W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AD (IXFH)
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFH7

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
IXFH7N80-NDR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH10N80P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
72
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH10N80P-DG
PRIX UNITAIRE
2.62
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STW10NK80Z
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
39
NUMÉRO DE PIÈCE
STW10NK80Z-DG
PRIX UNITAIRE
2.27
TYPE DE SUBSTITUT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
241
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PRIX UNITAIRE
1.63
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