Numéro de produit du fabricant:
IXFY8N65X2
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFY8N65X2-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA
Description détaillée:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
50 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12821551
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SOUMETTRE
IXFY8N65X2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Ultra X2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
450mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
790 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IXFY8N65
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
70
Autres noms
-1402-IXFY8N65X2
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK560P65Y,RQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
4898
NUMÉRO DE PIÈCE
TK560P65Y,RQ-DG
PRIX UNITAIRE
0.46
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0.60
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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