Numéro de produit du fabricant:
IXFH26N55Q
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFH26N55Q-DG
Description:
MOSFET N-CH 550V 26A TO247AD
Description détaillée:
N-Channel 550 V 26A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventaire:
12821553
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SOUMETTRE
IXFH26N55Q Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
550 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
26A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
230mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AD (IXFH)
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFH26
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STW19NM50N
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
337
NUMÉRO DE PIÈCE
STW19NM50N-DG
PRIX UNITAIRE
3.02
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TYPE DE SUBSTITUT
Direct
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