Numéro de produit du fabricant:
IXFX30N100Q2
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFX30N100Q2-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247-3
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 30A (Tc) 735W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventaire:
12818936
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SOUMETTRE
IXFX30N100Q2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™, Q2 Class
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
400mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
735W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PLUS247™-3
Emballage / Caisse
TO-247-3 Variant
Numéro de produit de base
IXFX30
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX32N100Q3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
256
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX32N100Q3-DG
PRIX UNITAIRE
23.68
TYPE DE SUBSTITUT
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