Numéro de produit du fabricant:
IPI90R800C3
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPI90R800C3-DG
Description:
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
Description détaillée:
N-Channel 900 V 6.9A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventaire:
12818939
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SOUMETTRE
IPI90R800C3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
800mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 460µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1100 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
104W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO262-3
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
IPI90R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
2156-IPI90R800C3-IT
SP000413730
IFEINFIPI90R800C3
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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