Numéro de produit du fabricant:
IXFR24N100
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFR24N100-DG
Description:
MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 22A (Tc) 416W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventaire:
12820652
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SOUMETTRE
IXFR24N100 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
390mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
267 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8700 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
416W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ISOPLUS247™
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFR24
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
Q1157068B
IXFR24N100-NDR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFR32N100P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFR32N100P-DG
PRIX UNITAIRE
16.72
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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PRIX UNITAIRE
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