Numéro de produit du fabricant:
IXFN21N100Q
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFN21N100Q-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventaire:
12820653
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SOUMETTRE
IXFN21N100Q Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™, Q Class
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
500mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
520W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-227B
Emballage / Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base
IXFN21
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFN32N100Q3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
8
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFN32N100Q3-DG
PRIX UNITAIRE
46.94
TYPE DE SUBSTITUT
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