Numéro de produit du fabricant:
IXFN32N120P
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFN32N120P-DG
Description:
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 32A (Tc) 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventaire:
12819076
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SOUMETTRE
IXFN32N120P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Polar
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
32A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
310mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
21000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1000W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-227B
Emballage / Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base
IXFN32
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10
Autres noms
-IXFN32N120P
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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