Numéro de produit du fabricant:
IXTT110N10L2
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTT110N10L2-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Description détaillée:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventaire:
5 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12819084
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SOUMETTRE
IXTT110N10L2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Linear L2™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
18mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
600W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-268AA
Emballage / Caisse
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numéro de produit de base
IXTT110
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
-IXTT110N10L2
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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