Numéro de produit du fabricant:
IXFN32N120
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFN32N120-DG
Description:
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 32A Chassis Mount SOT-227B
Inventaire:
12822267
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SOUMETTRE
IXFN32N120 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Box
Série
HiPerFET™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
32A
rds activé (max) @ id, vgs
350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
400 nC @ 10 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
15900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-227B
Emballage / Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base
IXFN32
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10
Autres noms
Q7906213
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFN32N120P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFN32N120P-DG
PRIX UNITAIRE
53.23
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
APT21M100J
FABRICANT
Microchip Technology
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
APT21M100J-DG
PRIX UNITAIRE
29.38
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