Numéro de produit du fabricant:
IXFH9N80
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFH9N80-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Description détaillée:
N-Channel 800 V 9A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventaire:
12821299
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SOUMETTRE
IXFH9N80 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
900mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2600 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
180W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AD (IXFH)
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFH9
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
Q3837074
Q4932885
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH10N80P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
72
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH10N80P-DG
PRIX UNITAIRE
2.62
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STP10NK80Z
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QUANTITÉ DISPONIBLE
1
NUMÉRO DE PIÈCE
STP10NK80Z-DG
PRIX UNITAIRE
1.84
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