Numéro de produit du fabricant:
IXTF1R4N450
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTF1R4N450-DG
Description:
MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC
Description détaillée:
N-Channel 4500 V 1.4A (Tc) 190W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Inventaire:
12821310
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SOUMETTRE
IXTF1R4N450 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
4500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
40Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3300 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
190W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ISOPLUS i4-PAC™
Emballage / Caisse
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Numéro de produit de base
IXTF1
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
25
Autres noms
-IXTF1R4N450
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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