Numéro de produit du fabricant:
IXFH46N65X3
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFH46N65X3-DG
Description:
MOSFET 46A 650V X3 TO247
Description détaillée:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
Inventaire:
352 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12997474
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IXFH46N65X3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Ultra X3
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
46A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
73mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.2V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2730 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
520W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247 (IXFH)
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFH46
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
300
Autres noms
238-IXFH46N65X3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PJS6403_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
GT52N10D5
MOSFET N-CH 100V 71A DFN5*6-8L
PXP012-30QLJ
P-CHANNEL TRENCH MOSFET
