Numéro de produit du fabricant:
IRF6641TRPBF
Product Overview
Fabricant:
International Rectifier
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF6641TRPBF-DG
Description:
IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Description détaillée:
N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventaire:
720 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947144
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SOUMETTRE
IRF6641TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.6A (Ta), 26A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2290 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ MZ
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MZ
Numéro de produit de base
IRF6641
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
150
Autres noms
2156-IRF6641TRPBF-IR
INFIRFIRF6641TRPBF
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
FQU5N60CTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
PSMN2R6-60PSQ
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
FCU2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
