Numéro de produit du fabricant:
FCU2250N80Z
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCU2250N80Z-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
Description détaillée:
N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventaire:
94795 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947154
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SOUMETTRE
FCU2250N80Z Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
SuperFET® II
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 260µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
585 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
39W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I-PAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
385
Autres noms
2156-FCU2250N80Z
FAIFSCFCU2250N80Z
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
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