SPW17N80C3A
Numéro de produit du fabricant:

SPW17N80C3A

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SPW17N80C3A-DG

Description:

MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Inventaire:

12805873
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SOUMETTRE

SPW17N80C3A Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
17A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2320 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
227W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO247-3-1
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SPW17N

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
240
Autres noms
SPW17N80C3AX
SP000101842
SPW17N80C3AXK

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH20N85X
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
271
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH20N85X-DG
PRIX UNITAIRE
5.25
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
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FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
57
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFR32N80Q3-DG
PRIX UNITAIRE
25.07
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX27N80Q
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
63
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX27N80Q-DG
PRIX UNITAIRE
16.43
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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