Numéro de produit du fabricant:
IPP100N08N3GHKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPP100N08N3GHKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 80 V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventaire:
12805874
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SOUMETTRE
IPP100N08N3GHKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
10mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2410 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
100W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP100N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
SP000474188
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SUP70090E-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
370
NUMÉRO DE PIÈCE
SUP70090E-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
1.27
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP100N08N3GXKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
587
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP100N08N3GXKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.00
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
SUP85N10-10-E3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
384
NUMÉRO DE PIÈCE
SUP85N10-10-E3-DG
PRIX UNITAIRE
2.88
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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