Numéro de produit du fabricant:
SPI07N65C3HKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SPI07N65C3HKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventaire:
12807065
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SOUMETTRE
SPI07N65C3HKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 350µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
790 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO262-3-1
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
SPI07N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
SP000014632
SPI07N65C3XK
SPI07N65C3IN
SPI07N65C3IN-DG
SPI07N65C3X
SPI07N65C3
SPI07N65C3-DG
SP000680982
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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