Numéro de produit du fabricant:
IRF7453PBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF7453PBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
Description détaillée:
N-Channel 250 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventaire:
12807067
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SOUMETTRE
IRF7453PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
230mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
930 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
IRF7453
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
95
Autres noms
SP001577342
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4464DY-T1-E3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
494
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4464DY-T1-E3-DG
PRIX UNITAIRE
0.46
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4464DY-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4464DY-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.47
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS2734
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
12237
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS2734-DG
PRIX UNITAIRE
0.81
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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