Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
RD Congo
Argentine
Turquie
Roumanie
Lituanie
Norvège
Autriche
Angola
Slovaquie
ltaly
Finlande
Biélorussie
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Monténégro
Russe
Belgique
Suède
Serbie
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Moldavie
Allemagne
Pays-Bas
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
France
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Portugal
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Espagne
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
SPD15P10PGBTMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SPD15P10PGBTMA1-DG
Description:
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Description détaillée:
P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventaire:
4670 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12807076
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SPD15P10PGBTMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SIPMOS®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
240mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1.54mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1280 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
128W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO252-3
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
SPD15P10
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
SPD15P10PGBTMA1-DG
Fiches techniques
SPD15P10PGBTMA1
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
SPD15P10P G-DG
SPD15P10P G
SPD15P10PGBTMA1CT
SPD15P10PGBTMA1TR
SPD15P10PGBTMA1DKR
SP000212233
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRF7834
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
SPB80P06P
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
IRL5602STRR
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK