Numéro de produit du fabricant:
IRLML6401TRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRLML6401TRPBF-DG
Description:
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Description détaillée:
P-Channel 12 V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Inventaire:
40009 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12807082
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SOUMETTRE
IRLML6401TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
830 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Micro3™/SOT-23
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
IRLML6401
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
IRLML6401GTRPBF-DG
IRLML6401GTRPBF
IRLML6401PBFCT
SP001577044
IRLML6401GTRPBFCT
IRLML6401GTRPBFTR
IRLML6401GTRPBFDKR
IRLML6401GTRPBFCT-DG
IRLML6401GTRPBFDKR-DG
IRLML6401GTRPBFTR-DG
IRLML6401PBFDKR
SP001568584
IRLML6401PBFTR
*IRLML6401TRPBF
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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