ISC012N04LM6ATMA1
Numéro de produit du fabricant:

ISC012N04LM6ATMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

ISC012N04LM6ATMA1-DG

Description:

TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Description détaillée:
N-Channel 40 V 37A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

Inventaire:

11650 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12965327
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SOUMETTRE

ISC012N04LM6ATMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™ 6
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
37A (Ta), 238A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4600 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8 FL
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
ISC012N

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
SP005559102
448-ISC012N04LM6ATMA1DKR
448-ISC012N04LM6ATMA1TR
448-ISC012N04LM6ATMA1CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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SOT-323, MOSFET

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