Numéro de produit du fabricant:
ISZ0702NLSATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
ISZ0702NLSATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Description détaillée:
N-Channel 60 V 17A (Ta), 86A (Tc) 2.5W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-25
Inventaire:
8650 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12965353
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SOUMETTRE
ISZ0702NLSATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™ 5
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
17A (Ta), 86A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 26µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2500 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 65W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TSDSON-8-25
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
ISZ0702N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
448-ISZ0702NLSATMA1CT
448-ISZ0702NLSATMA1TR
448-ISZ0702NLSATMA1DKR
SP005417427
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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