Numéro de produit du fabricant:
IRLS4030-7PPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRLS4030-7PPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Inventaire:
12818562
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SOUMETTRE
IRLS4030-7PPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
190A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.9mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
11490 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
370W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK (7-Lead)
Emballage / Caisse
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SP001568682
IRLS40307PPBF
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB039N10N3GATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
29647
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB039N10N3GATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.22
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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