Numéro de produit du fabricant:
IPB039N10N3GATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPB039N10N3GATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Description détaillée:
N-Channel 100 V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventaire:
29647 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13064036
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SOUMETTRE
IPB039N10N3GATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
OptiMOS™
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
160A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 160µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8410 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
214W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-7
Emballage / Caisse
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numéro de produit de base
IPB039
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB039N10N3 GCT-ND
SP000482428
IPB039N10N3 GTR-ND
IPB039N10N3 GTR
IPB039N10N3GATMA1TR
IPB039N10N3 GDKR
IPB039N10N3 G
IPB039N10N3G
IPB039N10N3 GCT
IPB039N10N3 GDKR-ND
IPB039N10N3GATMA1CT
IPB039N10N3 G-ND
IPB039N10N3GATMA1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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