Numéro de produit du fabricant:
IRLHM630TR2PBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRLHM630TR2PBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Description détaillée:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Inventaire:
12807225
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SOUMETTRE
IRLHM630TR2PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 4.5 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3170 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PQFN (3x3)
Emballage / Caisse
8-VQFN Exposed Pad
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
400
Autres noms
SP001550422
IRLHM630TR2PBFCT
IRLHM630TR2PBFTR
IRLHM630TR2PBFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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