Numéro de produit du fabricant:
IRFR5410TRR
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFR5410TRR-DG
Description:
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Description détaillée:
P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventaire:
12818016
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SOUMETTRE
IRFR5410TRR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
205mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
760 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
66W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR5410TRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
18890
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR5410TRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.49
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
AUIRFR5410TRL
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
2660
NUMÉRO DE PIÈCE
AUIRFR5410TRL-DG
PRIX UNITAIRE
1.24
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
EPC2016C
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC2010
GANFET N-CH 200V 12A DIE
RSJ800N06TL
MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
