Numéro de produit du fabricant:
RQ3E130MNTB1
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RQ3E130MNTB1-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Description détaillée:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventaire:
12818095
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SOUMETTRE
RQ3E130MNTB1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.1mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
840 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-HSMT (3.2x3)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
RQ3E130
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RQ3E130MNTB1DKR
RQ3E130MNTB1TR
846-RQ3E130MNTB1TR
RQ3E130MNTB1CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD17304Q3
FABRICANT
Texas Instruments
QUANTITÉ DISPONIBLE
4321
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD17304Q3-DG
PRIX UNITAIRE
0.30
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QUANTITÉ DISPONIBLE
5000
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PRIX UNITAIRE
0.53
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PRIX UNITAIRE
0.19
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PRIX UNITAIRE
0.22
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PRIX UNITAIRE
0.32
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