Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IRFB3307
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFB3307-DG
Description:
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 75 V 130A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12810444
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IRFB3307 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
75 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
130A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5150 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
IRFB3307-DG
Fiches techniques
IRFB3307
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
*IRFB3307
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB3307ZPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
1731
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB3307ZPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.99
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STP140N8F7
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
990
NUMÉRO DE PIÈCE
STP140N8F7-DG
PRIX UNITAIRE
1.37
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
PHP29N08T,127
FABRICANT
NXP Semiconductors
QUANTITÉ DISPONIBLE
24178
NUMÉRO DE PIÈCE
PHP29N08T,127-DG
PRIX UNITAIRE
0.61
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB3307PBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
491
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB3307PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.97
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
STP140NF75
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
1706
NUMÉRO DE PIÈCE
STP140NF75-DG
PRIX UNITAIRE
1.64
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
TN2540N3-G
MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
IRFH5406TR2PBF
MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN
TN0620N3-G-P014
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
VN1206L-G
MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3