VN1206L-G
Numéro de produit du fabricant:

VN1206L-G

Product Overview

Fabricant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

VN1206L-G-DG

Description:

MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Description détaillée:
N-Channel 120 V 230mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventaire:

1006 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12810563
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SOUMETTRE

VN1206L-G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Bag
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
120 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
230mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
125 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numéro de produit de base
VN1206

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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