Numéro de produit du fabricant:
IRF9Z34NLPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF9Z34NLPBF-DG
Description:
MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Description détaillée:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Through Hole TO-262
Inventaire:
12805099
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SOUMETTRE
IRF9Z34NLPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
620 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SP001570616
*IRF9Z34NLPBF
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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