Numéro de produit du fabricant:
IPSA70R1K4CEAKMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPSA70R1K4CEAKMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3
Description détaillée:
N-Channel 700 V 5.4A (Tc) 53W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventaire:
12805101
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SOUMETTRE
IPSA70R1K4CEAKMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
700 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
225 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
53W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO251-3
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
IPSA70
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
SP001605398
2156-IPSA70R1K4CEAKMA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPSA70R1K4P7SAKMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IPSA70R1K4P7SAKMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.24
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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