Numéro de produit du fabricant:
FDS8878
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDS8878-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Description détaillée:
N-Channel 30 V 10.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
570614 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946932
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SOUMETTRE
FDS8878 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
14mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
897 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,389
Autres noms
2156-FDS8878
FAIFSCFDS8878
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
FDFMA3P029Z
MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
FDS6298
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
CSD17303Q5
CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
