IRF7822TRPBF
Numéro de produit du fabricant:

IRF7822TRPBF

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRF7822TRPBF-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Description détaillée:
N-Channel 30 V 18A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventaire:

12803252
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SOUMETTRE

IRF7822TRPBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5500 pF @ 16 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000
Autres noms
IRF7822PBFTR
IRF7822PBFDKR
IRF7822TRPBFTR-DG
*IRF7822TRPBF
IRF7822PBFCT
IRF7822TRPBF-DG
SP001575232

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
SI4874BDY-T1-E3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
11474
NUMÉRO DE PIÈCE
SI4874BDY-T1-E3-DG
PRIX UNITAIRE
0.48
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6670A
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2525
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6670A-DG
PRIX UNITAIRE
0.36
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS8896
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
15395
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS8896-DG
PRIX UNITAIRE
0.24
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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