Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
RD Congo
Argentine
Turquie
Roumanie
Lituanie
Norvège
Autriche
Angola
Slovaquie
ltaly
Finlande
Biélorussie
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Monténégro
Russe
Belgique
Suède
Serbie
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Moldavie
Allemagne
Pays-Bas
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
France
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Portugal
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Espagne
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
NTD6416AN-1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTD6416AN-1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 71W (Tc) Through Hole IPAK
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12861470
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
U
b
a
0
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NTD6416AN-1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
17A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
81mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
620 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
71W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
IPAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
NTD64
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
NTD6416AN-1G-DG
Fiches techniques
NTD6416AN-1G
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
2156-NTD6416AN-1G-ON
NTD6416AN-1G-DG
NTD6416AN-1GOS
ONSONSNTD6416AN-1G
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SK8403160L
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSSO
UPA1912TE(0)-T1-AT
MOSFET P-CH 12V 4.5A SC95
NP109N04PUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
RJK5012DPE-00#J3
MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK