Numéro de produit du fabricant:
IRF6894MTR1PBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF6894MTR1PBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Description détaillée:
N-Channel 25 V 32A (Ta), 160A (Tc) 2.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventaire:
12802643
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IRF6894MTR1PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
32A (Ta), 160A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.3mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4160 pF @ 13 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta), 54W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ MX
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MX
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IRF6894MTR1PBFCT
IRF6894MTR1PBFTR
IRF6894MTR1PBFDKR
SP001528268
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRF200B211
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
IPP65R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
BSC0901NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
