Numéro de produit du fabricant:
IRF200B211
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF200B211-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 200 V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
4746 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12802645
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SOUMETTRE
IRF200B211 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
170mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
790 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
80W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRF200
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SP001561622
INFIRFIRF200B211
2166-IRF200B211-448
2156-IRF200B211
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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