Numéro de produit du fabricant:
IRF6711STR1PBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF6711STR1PBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
Description détaillée:
N-Channel 25 V 19A (Ta), 84A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Inventaire:
12805867
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SOUMETTRE
IRF6711STR1PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Ta), 84A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1810 pF @ 13 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ SQ
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric SQ
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
SP001527012
IRF6711STR1PBFTR
IRF6711STR1PBFCT
IRF6711STR1PBFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF6711STRPBF
FABRICANT
International Rectifier
QUANTITÉ DISPONIBLE
4800
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF6711STRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.81
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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