Numéro de produit du fabricant:
IRF6641TR1PBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF6641TR1PBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Description détaillée:
N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventaire:
12823387
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SOUMETTRE
IRF6641TR1PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.6A (Ta), 26A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2290 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ MZ
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MZ
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IRF6641TR1PBFDKR
IRF6641TR1PBFTR
SP001563484
IRF6641TR1PBFCT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF6641TRPBF
FABRICANT
International Rectifier
QUANTITÉ DISPONIBLE
720
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF6641TRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.85
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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