Numéro de produit du fabricant:
IRF6602
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF6602-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
Description détaillée:
N-Channel 20 V 11A (Ta), 48A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MQ
Inventaire:
12802990
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SOUMETTRE
IRF6602 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta), 48A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
13mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1420 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ MQ
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MQ
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,800
Autres noms
IRF6602TR
IRF6602CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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