Numéro de produit du fabricant:
IPAW60R280CEXKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPAW60R280CEXKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220
Description détaillée:
N-Channel 600 V 19.3A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage
Inventaire:
12802994
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SOUMETTRE
IPAW60R280CEXKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 430µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
950 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
32W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Variant
Numéro de produit de base
IPAW60
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
450
Autres noms
INFINFIPAW60R280CEXKSA1
SP001391614
2156-IPAW60R280CEXKSA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPAW60R280P7SXKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IPAW60R280P7SXKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.72
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
R6015ENX
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
23
NUMÉRO DE PIÈCE
R6015ENX-DG
PRIX UNITAIRE
1.61
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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