Numéro de produit du fabricant:
IRF3709ZL
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF3709ZL-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 87A TO262
Description détaillée:
N-Channel 30 V 87A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-262
Inventaire:
12806781
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IRF3709ZL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
87A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2130 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
79W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
*IRF3709ZL
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFR12N25DTRPBF
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
IRF6811STR1PBF
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
IRFP7537PBF
MOSFET N-CH 60V 172A TO247
